ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни

Авакьянц, Г. М. (1966) Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (4). pp. 248-258.

[img]
Preview
PDF
Download (1648Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Հոսանքի անցումը խառնուրդային կամ արատավոր խոր մակարդակներ տվող կիսահաղորդիչներով։ Transmission of current through semiconductors with touch of defects producing deep levels.
    Uncontrolled Keywords: Ավագյանց Գ. Մ., Avakyants G. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 29 May 2013 10:29
    Last Modified: 30 May 2013 13:29
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2259

    Actions (login required)

    View Item