ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О возможности использования диодных структур на основе аморфных полупроводников как микроиндуктивностей с большой величиной L

Алтунян, С. А. (1978) О возможности использования диодных структур на основе аморфных полупроводников как микроиндуктивностей с большой величиной L. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (4). pp. 309-313. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (786Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Ամորֆ կիսահաղորդիչների հիման վրա ստեղծված դիոդային կառուցվածքները որպես մեծ արժեքի L միկրոինդուկտիվություն օգտագործելու հնարավորության մասին։ On the possibility of using the diode structures based on amorphous semiconductors as microinductances with large L magnitudes.
    Uncontrolled Keywords: Ալթունյան Ս. Ա., Altunyan S. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 30 May 2013 15:21
    Last Modified: 30 May 2013 15:21
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2248

    Actions (login required)

    View Item