ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода

Авакьянц, Г. М. and Рахимов, А. У. (1966) О влиянии уровней прилипания на вольтамперную характеристику полупроводникового диода. ՀՍՍՌ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 1 (3). pp. 164-169.

[img]
Preview
PDF
Download (815Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կպչողական հատկություն ունեցող մակարդակների ազդեցությունը կիսահաղորդիչ դիոդի վոլտամպերային բնութագրի վրա։ On the influence of traps on voltamper characteristics of semiconductor diode.
    Uncontrolled Keywords: Ավակյանց Գ. Մ., Ռահիմով Ա. Ու., Avakyants G. M., Rahimov A. U.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 23 May 2013 13:45
    Last Modified: 30 May 2013 11:35
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2243

    Actions (login required)

    View Item