ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние полос роста на дефектообразование в бездислокационном кремнии в результате высокотемпературных технологических операций

Шабоян, С. А. and Роганян, Н. А. (1978) Влияние полос роста на дефектообразование в бездислокационном кремнии в результате высокотемпературных технологических операций. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 13 (2). pp. 133-135.

[img]
Preview
PDF
Download (624Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Բարձր ջերմաստիճանային տեխնոլոգիական գործողությունների հետևանքով աճի շերտերի ազդեցությունը դիսլոկացիաներից ազատ սիլիցիումի մեջ արատների առաջացման վրա։ The influence of growth-band on defect formation in dislocation-free silicon as a result of high temperature treatments.
    Uncontrolled Keywords: Շաբոյան Ս. Ա., Ռոգանյան Ն. Ա., Shaboyan S. A., Roganyan N. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 25 Apr 2013 12:27
    Last Modified: 23 Jul 2013 13:11
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2181

    Actions (login required)

    View Item