ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Аннигиляция позитронов в области p-n-перехода в Si

Захарянц, А. Г. and Малоян, А. Г. and Прокопьев, Е. П. (1979) Аннигиляция позитронов в области p-n-перехода в Si. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 14 (6). pp. 414-418. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (773Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Պոզիտրոնների անիհիլյացիան Si-ի p-n-անցման տիրույթում։ The annihilation of positrons in the region of p-n-transition in Si.
    Uncontrolled Keywords: Զախարյանց Ա. Գ., Մալոյան Ա. Հ., Պրոկոպյև Ե. Պ., Zakhariants A. G., Maloyan A. G., Prokopiev E. P.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 22 Apr 2013 10:42
    Last Modified: 16 Jul 2013 10:44
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2146

    Actions (login required)

    View Item