ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами

Арутюнян, В. М. and Гаспарян, Ф. В. (1980) Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (4). pp. 274-279. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (805Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կրկնակի լիցքավորված կենտրոններով կոմպենսացված p+-n-n+ - կիսահաղորդչային կառուցվածքների իմպեդանսը։ Impedance of p+-n-n+ - structures based on semiconductors compensated by doubly ionized centres.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Գասպարյան Ֆ. Վ., Harutyunyan V. M., Gasparyan F. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 11 Apr 2013 11:47
    Last Modified: 28 Oct 2013 12:26
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2039

    Actions (login required)

    View Item