ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика

Багдасарян, Р. А. and Саркисян, С. А. and Хачатрян, К. О. and Ширакян, Г. Г. (1980) Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 15 (1). pp. 44-48. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (714Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Բազմաբյուրեղային սիլիցիումի օգտագործումը ՄՕԿ ստրուկտուրաներում որպես դիէլեկտրիկ երկրորդ շերտ շեմային լարման փոքրացման և Si-SiO2 սահմանի լիցքի կայունացման համար։ The decrease of threshold voltage and of charge stabilization at Si-SiO2 interface in MOS structures using polycrystalline silicon as a second insulator layer.
    Uncontrolled Keywords: Բաղդասարյան Ռ. Ա., Սարգսյան Ս. Ա., Խաչատրյան Կ. Հ., Շիրակյան Գ. Գ., Bagdasaryan R. A., Sarkisyan S. A., Khachatryan K. O., Shirakyan G. G.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 08 Apr 2013 16:23
    Last Modified: 28 Oct 2013 13:38
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/2001

    Actions (login required)

    View Item