ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Поперечная эффективная масса поверхностной подзоны в полупроводниках с узкой запрещенной зоной

Касаманян, З. А. and Гаспарян, В. М. (1981) Поперечная эффективная масса поверхностной подзоны в полупроводниках с узкой запрещенной зоной. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 16 (5). pp. 402-405. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (579Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Մակերևույթային ենթագոտու լայնական էֆեկտիվ մասսան նեղ արգելված գոտի ունեցող կիսահաղորդիչներում։ Transverse effective mass of surface subband in narrow gap semiconductors.
    Uncontrolled Keywords: Կասամանյան Զ. Հ., Գասպարյան Վ. Մ., Kasamanian Z. H., Gasparian V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Molecular Physics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 03 Apr 2013 12:30
    Last Modified: 30 Oct 2013 15:37
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1979

    Actions (login required)

    View Item