ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Распределение потенциала в фоточувствительной p-n-p-структуре из Si<Zn>

Арутюнян, В. М. and Паносян, Ж. Р. and Марукян, В. Ш. and Адамян, З. Н. and Ншанян, Т. А. (1981) Распределение потенциала в фоточувствительной p-n-p-структуре из Si<Zn>. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 16 (3). pp. 226-229. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (568Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Պոտենցիալի բաշխումը լուսազգայուն Si<Zn> p-n-p-կառուցվածքում։ Distribution of potentials in Si<Zn> photosensitive p-n-p structure.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Փանոսյան Ժ. Ռ., Մարուքյան Վ. Շ., Ադամյան Զ. Ն., Նշանյան Տ. Ա., Harutyunyan V. M., Panossyan J. R., Marukyan V. Sh., Adamyan Z. N., Nshanyan T. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 27 Mar 2013 11:58
    Last Modified: 30 Oct 2013 14:47
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1952

    Actions (login required)

    View Item