ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О вкладе решеточного ангармонизма в температуру структурного фазового перехода в полупроводниках со свободными носителями заряда

Маилян, Г. Л. (1983) О вкладе решеточного ангармонизма в температуру структурного фазового перехода в полупроводниках со свободными носителями заряда. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 18 (6). pp. 372-374. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (442Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Ազատ լիցքակիրներով կիսահաղորդիչներում կառուցվածքային ֆազային անցման ջերմաստիճանի մեջ ցանցային անհարմոնիզմի ներդրման մասին։ On the contribution of lattice anharmonicity to the temperature of structural phase transition in semiconductors with free carriers.
    Uncontrolled Keywords: Մայիլյան Գ. Լ., Mailyan G. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 13 Mar 2013 14:31
    Last Modified: 18 Nov 2013 14:10
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1858

    Actions (login required)

    View Item