ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Фотоэлектрические свойства кристаллов GaP и InP, облученных быстрыми электронами

Брайловский, Е. Ю. and Григорян, Н. Е. and Ерицян, Г. Н. (1983) Фотоэлектрические свойства кристаллов GaP и InP, облученных быстрыми электронами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 18 (4). pp. 235-239. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (801Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Արագ էլեկտրոններով ճառագայթված GaP և InP բյուրեղների ֆոտոէլեկտրական հատկությունները։ Photoelectric properties of GaP and InP crystals irradiated with fast electrons.
    Uncontrolled Keywords: Բրայլովսկի Ե. Յու., Գրիգորյան Ն. Ե., Երիցյան Հ. Ն., Brailovskij E. Yu., Grigoryan N. E., Eritsyan G. N.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 11 Mar 2013 13:23
    Last Modified: 18 Nov 2013 11:33
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1831

    Actions (login required)

    View Item