ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние кулоновской щели на примесное поглощение в полупроводниках типа AIIIBV

Арутюнян, С. Л. (2009) Влияние кулоновской щели на примесное поглощение в полупроводниках типа AIIIBV. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 44 (1). pp. 29-34. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (120Kb) | Preview

    Abstract

    Используя интерполяционную формулу, которая независимо от степени компенсации адекватно описывает структуру примесной зоны в широком интервале энергиий, получено явное выражение коэффициента поглощения света, связанного с переходами примесная зона–зона проводимости. Վիճակների խտության համար ներմոտարկման բանաձաևի օգնությամբ, որը համարժեքորեն նկարագրում է խառնուրդային գոտու կառուցվածքը լայն էներգիական տիրույթում, ստացված է «խառնուրդային գոտի–հաղորդական գոտի» անցումներով պայմանավորված կլանման գործակցի արտահայտությունը: Using the interpolation formula, an explicit expression is obtained for the light absorption coefficient related to the transitions from the impurity band to the conductivity band is obtained. The interpolation formula adequately describes the impurity band structure in a broad energy range regardless of the degree of compensation.

    Item Type: Article
    Additional Information: Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը AIIIBV տիպի կիսահաղորդիչների խառնուրդային կլանման վրա; Influence of the Coulomb gap on the impurity absorption in AIIIBV semiconductors
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Ս. Լ., Harutyunyan S. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 08 Dec 2011 12:22
    Last Modified: 04 Oct 2019 05:52
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/18

    Actions (login required)

    View Item