ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура

Арутюнян, В. М. and Барсегян, Р. С. and Григорян, Г. Е. and Семерджян, Б. О. (1988) Параметры примесных центров, создаваемых при введении в кремний селена и теллура. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 23 (2). pp. 99-105. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (31Mb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Սիլիցիումում ներմուծված սելենի և տելուրի ստեղծած խառնուրդային կենտրոնների պարամետրերը։ Parameters of impurity centers formed in silicon by doping of Se and Te atoms.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Բարսեղյան Ռ. Ս., Գրիգորյան Գ. Ե., Սեմերջյան Բ. Օ., Harutyunyan V. M., Barsegyan R. S., Grigoryan G. E., Semerdjian B. O.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 19 Feb 2013 14:02
    Last Modified: 13 Dec 2013 15:46
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1764

    Actions (login required)

    View Item