ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Поперечная эффективная масса электрона в тонкопленочной гетероструктуре и сверхрешетке из InAs-GaSb

Касаманян, З. А. and Гаспарян, В. М. (1985) Поперечная эффективная масса электрона в тонкопленочной гетероструктуре и сверхрешетке из InAs-GaSb. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (2). pp. 75-80. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1085Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Էլեկտրոնի լայնական էֆեկտիվ զանգվածը բարակ թաղանթներից կազմված հետերոստրուկտուրայում և InAs-GaSb զույգից կազմված գերցանցում։ The transverse effective mass of an electron in InAs-GaSb thin-filn heterostructure and superlattice.
    Uncontrolled Keywords: Կասամանյան Զ. Հ., Գասպարյան Վ. Մ., Kasamanyan Z. H., Gasparyan V. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 13 Dec 2012 13:14
    Last Modified: 21 Nov 2013 16:35
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1642

    Actions (login required)

    View Item