ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О механизме образования поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник, облученных короткопробежными ионами

Саакян, А. А. and Ерицян, Г. Н. and Оганесян, А. С. and Мордкович, В. Н. (1985) О механизме образования поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник, облученных короткопробежными ионами. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 20 (1). pp. 47-49. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (488Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կարճ վազքի երկարություն ունեցող իոններով ճառագայթված դիէլեկտրիկ-կիսահաղորդիչ համակարգի մակերևույթային վիճակների առաջացման մեխանիզմի մասին։ On the mechanism of interface states formation in dielectric-semiconductor structures irradiated with short-range ions.
    Uncontrolled Keywords: Սահակյան Ա. Ա., Երիցյան Հ. Ն., Հովհաննիսյան Ա. Ս., Մորդկովիչ Վ. Ն., Sahakyan A. A., Yeritsyan G. N., Hovanesyan A. S., Morgkovich V. N.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiation physics (General)
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 12 Dec 2012 16:20
    Last Modified: 22 Nov 2013 12:11
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1633

    Actions (login required)

    View Item