ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

О природе центров поглощения 1,0 эВ в облученных кристаллах GaAs

Брайловский, Е. Ю. and Григорян, Н. Е. and Памбухчян, Н. Х. (1986) О природе центров поглощения 1,0 эВ в облученных кристаллах GaAs. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (3). pp. 145-149. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (741Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Ճառագայթված GaAs բյուրեղներում 1,0 էՎ կլանման կենտրոնների բնույթը։ On the nature of absorption centers in irradiated GaAs crystals.
    Uncontrolled Keywords: Բրայլովսկի Ե. Յու., Գրիգորյան Ն. Ե., Փամբուխչյան Ն. Խ., Brajlovskij E. Yu., Grigoryan N. E., Pambukhchyan N. H.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Optics. Light
    Q Science > QC Physics > Radiation physics (General)
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 05 Dec 2012 16:31
    Last Modified: 22 Nov 2013 16:22
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1575

    Actions (login required)

    View Item