Брайловский, Е. Ю. and Григорян, Н. Е. and Памбухчян, Н. Х. (1986) О природе центров поглощения 1,0 эВ в облученных кристаллах GaAs. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 21 (3). pp. 145-149. ISSN 0002-3035
![[img]](http://physics.asj-oa.am/style/images/fileicons/application_pdf.png)
| PDF Download (741Kb) | Preview |
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Additional Information: | Ճառագայթված GaAs բյուրեղներում 1,0 էՎ կլանման կենտրոնների բնույթը; On the nature of absorption centers in irradiated GaAs crystals |
| Uncontrolled Keywords: | Բրայլովսկի Ե. Յու., Գրիգորյան Ն. Ե., Փամբուխչյան Ն. Խ., Brajlovskij E. Yu., Grigoryan N. E., Pambukhchyan N. H. |
| Subjects: | Q Science > QC Physics > Optics. Light Q Science > QC Physics > Radiation physics (General) Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors |
| Divisions: | UNSPECIFIED |
| Depositing User: | Professor Vladimir Aroutiounian |
| Date Deposited: | 05 Dec 2012 16:31 |
| Last Modified: | 04 Nov 2019 12:29 |
| URI: | http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1575 |
Actions (login required)
| View Item |
