ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Механизм возникновения нескольких участков отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых p-n-переходах и диодах Шоттки

Акопян, М. Г. (1987) Механизм возникновения нескольких участков отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых p-n-переходах и диодах Шоттки. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (6). pp. 339-342. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (729Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Լոկալ դեֆորմացված գերմանիումային p-n անցումներում և Շոտտկիի դիոդներում N-տիպի բացասական դիֆերենցիալ հաղորդականության մի քանի տիրույթների առաջացման մեխանիզմը։ The mechanism of rise of some sections of N-type negative differential conductivity on voltage-current characteristics of locally deformed germanium p-n junctions and Schottky diodes.
    Uncontrolled Keywords: Հակոբյան Մ. Գ., Hakopyan M. G.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 27 Nov 2012 15:34
    Last Modified: 27 Nov 2013 11:22
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1537

    Actions (login required)

    View Item