ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Механизм возникновения участка отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых мелких p-n-переходах и диодах Шоттки

Акопян, М. Г. (1987) Механизм возникновения участка отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых мелких p-n-переходах и диодах Шоттки. ՀՍՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր.Ֆիզիկա, 22 (4). pp. 202-209. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1178Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Լոկալ դեֆորմացված գերմանիումային ոչ խորը p-n-անցումներում և Շոտտկի-ի դիոդներում N-տիպի բացասական դիֆերենցիալ հաղորդականության առաջացման մեխանիզմը։ The mechanism of rise of N-type negative differential conductivity in locally deformed germanium shallow p-n junctions and Schottky diodes.
    Uncontrolled Keywords: Հակոբյան Մ. Գ., Hakopyan M. G.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 21 Nov 2012 14:44
    Last Modified: 27 Nov 2013 11:26
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1503

    Actions (login required)

    View Item