ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Влияние взаимной диффузии на зонную структуру и коэффициент поглощения одномерной полупроводниковой сверхрешетки

Азиз Ахчегала, В. Л. (2011) Влияние взаимной диффузии на зонную структуру и коэффициент поглощения одномерной полупроводниковой сверхрешетки. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 46 (2). pp. 124-131. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (256Kb) | Preview

    Abstract

    Изучено влияние взаимной диффузии атомов Al и Ga на ограничивающий потенциал, зонную структуру и коэффициент межзонного поглощения в одномерной сверхрешетке, состоящей из квантовых ям GaAs/Ga1-xAlxAs, с изначально прямоугольным ограничивающим потенциалом в рамках модели модифицированного потенциала Вуда–Саксона. The effect of interdiffusion of Al and Ga atoms on the confining potential, band structure and absorption coefficient of electromagnetic radiation of a one-dimensional superlattice, composed of GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wells with the initially rectangular potential profile, is studied in the framework of the modified Wood–Saxon potential model.

    Item Type: Article
    Additional Information: Փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունը կիսահաղորդչային միաչափ գերցանցի գոտիական կառուցվածքի և կլանման գործակցի վրա։ Effect of interdiffusion on the band structure and absorption coefficient of a one-dimensional semiconductor superlattice.
    Uncontrolled Keywords: Ազիզ Աղչեգալա Վ. Լ. , Aziz Aghchegala V. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 14 Feb 2012 16:58
    Last Modified: 26 Mar 2014 15:27
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/143

    Actions (login required)

    View Item