ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели

Арутюнян, С. Л. (2009) Особенности тонкой структуры края фундаментального поглощения в слабо легированных полупроводниковых квантовых ямах с учетом кулоновской щели. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 44 (2). pp. 144-150. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (368Kb) | Preview

    Abstract

    Исследовано влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в квантовых ямах. Исследована также зависимость коэффициента поглощения квантовой ямы от степени легирования и компенсации образца. Ուսումնասիրված է քվանտային փոսերում կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա: Ուսումնասիրված է նաև կլանման գործակցի կախումը լեգիրացման և համակշռման աստիճանից: The influence of the Coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in quantum wells is investigated. The dependence of the absorption coefficient of a quantum well on the levels of doping and compensation is also studied.

    Item Type: Article
    Additional Information: Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունը թույլ լեգիրացված կիսահաղորդչային քվանտային փոսերի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա։ Features of the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped semiconductor quantum wells with allowance for the Coulomb gap.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Ս. Լ., Harutyunyan S. L.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 07 Dec 2011 16:12
    Last Modified: 01 Apr 2014 13:32
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/13

    Actions (login required)

    View Item