ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции

Алексанян, А. Г. and Арамян, Н. С. and Казарян, Р. К. (1990) Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции. ՀԽՍՀ ԳԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 25 (1). pp. 36-42. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (913Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Կիսահաղորդչային դիոդի բազայի մի քանի պարամետրերի որոշումը կամայական ինժեկցիայի ռեժիմում դիոդի իմպեդանսի չափումներից։ Determination of some parameters of semiconductor diode base from measurements of diode impedance at arbitrary injection levels.
    Uncontrolled Keywords: Ալեքսանյան Ա. Գ., Արամյան Ն. Ս., Ղազարյան Ռ. Ղ., Aleksanyan A. G., Aramyan N. S., Kazaryan R. K.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Q Science > QC Physics > Radiophysics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 20 Sep 2012 10:57
    Last Modified: 20 Feb 2014 15:03
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1236

    Actions (login required)

    View Item