ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li

Овсепян, Р. К. and Агамалян, Н. Р. and Петросян, С. И. (2010) Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 45 (6). pp. 407-416. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (273Kb) | Preview

    Abstract

    Получены полевые транзисторы с n- и p-типами канала на основе оксидных пленок ZnO:Li и фторидной пленки MgF2 в качестве изолятора затвора. Պատրաստված են n- և p-տիպի ուղղետարով դաշտային տրանզիստորներ ZnO:Li օքսիդային թաղանթի հիմքով` օգտագործելով MgF2 ֆտորիդային թաղանթը որպես փականի մեկուսիչ: Field-effect transistors with n- and p-types of the channel on the base of ZnO:Li oxide films and MgF2 fluoride film as a gate insulator were obtained.

    Item Type: Article
    Additional Information: ZnO:Li թաղանթից դաշտային տրանզիստոր։ Field-effect transistor based on ZnO:Li films.
    Uncontrolled Keywords: Հովսեփյան Ռ. Կ., Աղամալյան Ն. Ռ., Պետրոսյան Ս. Ի., Hovsepyan R. K., Aghamalyan N. R., Petrosyan S.I.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Optics. Light
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 23 Dec 2011 14:18
    Last Modified: 27 Mar 2014 16:51
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/118

    Actions (login required)

    View Item