ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров

Гаспарян, Ф. В. (2010) Моделирование и расчет светоадресуемых потенциометрических сенсоров. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 45 (5). pp. 350-364. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (230Kb) | Preview

    Abstract

    Представлены результаты моделирования и теоретического расчета влияния света с модулированной интенсивностью на светоадресуемые потенциометрические сенсоры на основе структуры электролит–изолятор–полупроводник и электролит–мембрана–изолятор–полупроводник. Մոդելավորված և տեսականորեն հետազոտված են կիսահաղորդիչ/մեկուսիչ/էլեկտրոլիտ և կիսահաղորդիչ /մեկուսիչ/մեմբրան/էլեկտրոլիտ կառուցվածքով լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորները: Results of modeling and theoretical simulation of the influence of intensity-modulated irradiation on the light-addressable potentiometric sensors based on the electrolyte–insulator– semiconductor and electrolyte–membrane–insulator–semiconductor structures are presented.

    Item Type: Article
    Additional Information: Լույսով հասցեագրվող պոտենցաչափական սենսորների մոդելավորում և հաշվարկ։ Modeling and simulation of light-addressable potentiometric sensors.
    Uncontrolled Keywords: Գասպարյան Ֆ. Վ., Gasparyan F. V.
    Subjects: Q Science > QC Physics
    Q Science > QH Natural history > Biology
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 22 Dec 2011 15:37
    Last Modified: 27 Mar 2014 15:57
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/110

    Actions (login required)

    View Item