ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Применение новой разновидности электрожидкостной эпитаксии для выращивания пленок InSbAsBi и диодных гетероструктур на их основе

Арутюнян, В. М. and Геворкян, В. А. and Гамбарян, К. М. (1994) Применение новой разновидности электрожидкостной эпитаксии для выращивания пленок InSbAsBi и диодных гетероструктур на их основе. Հայաստանի ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 29 (3). pp. 94-100. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1164Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Էլեկտրահեղուկային էպիտաքսիայի նոր տարատեսակի կիրառումը InSbAsBi թաղանթների և նրանց հիման վրա դիոդային հետերոկառուցվածքների աճեցման համար։ Application of new approach to liquid-phase electroepitaxy for InSbAsBi layers and diod heterostructures growth.
    Uncontrolled Keywords: Հարությունյան Վ. Մ., Գևորգյան Վ. Ա., Ղամբարյան Կ. Մ., Aroutiounian V. M., Gevorkyan V. A., Gambaryan K. M.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Descriptive and experimental mechanics
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 22 Aug 2012 11:55
    Last Modified: 04 Mar 2014 12:05
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1063

    Actions (login required)

    View Item