ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Поглощение света в полупроводнике с дислокациями при непрямых межзонных переходах

Киракосян, А. А. and Кумашян, М. К. and Мхоян, К. А. and Саркисян, А. А. (1995) Поглощение света в полупроводнике с дислокациями при непрямых межзонных переходах. ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր. Ֆիզիկա, 30 (5). pp. 208-216. ISSN 0002-3035

[img]
Preview
PDF
Download (1122Kb) | Preview
    Item Type: Article
    Additional Information: Լույսի կլանումը դիսլոկացիաներ պարունակող կիսահաղորդչում ոչ ուղիղ միջգոտիական անցումների դեպքում։ Light absorption in a semiconductor, containing dislocations, in nondirect interband transitions.
    Uncontrolled Keywords: Կիրակոսյան Ա. Ա., Ղումաշյան Մ. Ղ., Մխոյան Կ. Ա., Սարգսյան Հ. Ա., Kirakosian A. A., Koumashian M. K., Mkhoian K. A., Sargsian H. A.
    Subjects: Q Science > QC Physics > Optics. Light
    Q Science > QC Physics > Electricity and magnetism
    Q Science > QC Physics > Physics of Semiconductors
    Divisions: UNSPECIFIED
    Depositing User: Professor Vladimir Aroutiounian
    Date Deposited: 10 Aug 2012 13:53
    Last Modified: 04 Mar 2014 14:24
    URI: http://physics.asj-oa.am/id/eprint/1019

    Actions (login required)

    View Item